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電壓擊穿測試儀 介電常數(shù)電容量及介損顯示精度

來源:技術(shù)文章    更新時間:2016-02-16    瀏覽:1901次

 電壓擊穿測試儀  

介電常數(shù)電容量及介損顯示精度

 

   電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。

      損: ±0.5%tgdx±1×10-4

   

 電壓擊穿測試儀 本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足

下列表中的技術(shù)指示要求。

    在Cn=100pF    R4=3183.2(W)(即10K/π)時 

    測量項(xiàng)目       測量范圍             測量誤差               

    電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0~1              ±1.5%tgdx±0.0001

    在Cn=100pF      R4=318.3(W)(即1K/π)時

    測量項(xiàng)目       測量范圍             測量誤差               

    電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0~0.1          ±1.5%tgdx±0.0001

  電壓擊穿測試儀電橋測量靈敏度

    電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測量準(zhǔn)確度,

希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量

成正比。

    在下面的計算公式中,用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這

個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中:U為測量電壓                     伏特(V)

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

          Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法(pF)

          Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

          Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆(W)

          R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

          Cx被測試品電容值                    皮法(pF)

 

 電壓擊穿測試儀 輔橋的技術(shù)特性:

    工作電壓±12V,50Hz

    輸入阻抗>1012 W

    輸出阻抗>0.6 W

    放大倍數(shù)>0.99

    不失真跟蹤電壓  0~12V(有效值)

 

 電壓擊穿測試儀指另裝置的技術(shù)特性:

    工作電壓±12V

    在50Hz時電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格

  二次諧波  減不小于25db

  三次諧波  減不小于50db

 

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